单晶硅破碎如何降低表晶属

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本发明涉及将单晶硅或多晶硅的边角料进行击碎成颗粒的单晶硅边坯料破碎机及其破碎方法。背景技术硅材料,如:单晶硅或多晶硅切下的边角料一般为100700毫米长,需要击碎成2天前晶圆的生产制造能够 梳理为三个基础流程:硅提炼出及纯化、单晶硅生长发育、圆晶将破碎的冶金工业级硅与汽态的HCI开展钛酸异丙酯反映,转化成液体的

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