SiC外延调研报告

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摘要: 在硅面(0001)方向偏8°4HSiC衬底上生长外延层,生长温度为1580℃,压力为100mbar,采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LPHWCVD),得到了高SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析来源:lilaohushi 作者:华仔 浏览:671 时间: 14:18 摘要: 分享到: 上一篇:RF前端整合到SOC芯片中给生产

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